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FFT-V型FOC电调

点击率:        发布时间:2019-12-31 23:45:52

1、电压8~60V,尺寸31.5mmx81mmx10mm,电流最大60A(高于30A需加散热器);

2、支持BDLC方波模式和FOC正弦波模式;  

3、CPU采用主频168MHz,带DSP功能的Cortex-M4构架的STM32F405;

4、配合上位机工具软件能自动测量绕组电阻、电感,磁链,对于有传感器的电机还可测量其极对数等参数;

5、支持ABI接口的光电编码器及SPI总线的AS5047或AS5048A角度传感器;

6、支持CAN总线指令输入、PWM输入、UART输入、模拟油门信号输入:

7、CAN总线使用两个带锁扣的JST1.25mm连接器,符合CAN总线网络拓扑结构标准;

8、支持有霍尔、无霍尔、有传感器、无传感器;

9、电源滤波电容不适用点解电容(使用大量陶瓷电容),极大的减小重量;

10、采用基于DirectFET技术的英飞凌MOSFET器件(IRF7749),虽然提高了成本但彻底的解决了发热问题;

11、采用TI的DRV8301栅极驱动器,可通过SPI总线编程栅极驱动器;

12、 接在绕组上串联3路精密大功率采样电阻直接测量相电流,相比在MOSFET下桥臂进行电流采样消除了MOSFET开关过程中的噪声,电流更准确;

13、数字VCC和模拟VCC分别使用不同的DC-DC产生,使系统AD转换更加准确;

14、光电编码器的ABI接口和磁编码器的AS5048A接口均在电机引线端设置连接器:

15、近百个设置参数可通过USB口利用上位机软件软件FFT-TOOL进行更改设置并保存至电调内;

16、提供上位机设置软件(win7、ubuntu、Android);

17、提供PC机USB口与电调连接的数据线;


备注1:关于采用基于DirectFET的MOSFET的优势:

    与典型的含铅的小型封装相比,DirectFET的热阻显著降低。在DirectFET封装里,结到电路板之间的热阻材料只有上面的金属和安装用的焊锡。SO-8的结到PCB的热阻(Rthj-pcb)大约是20°C/Wmax ,而同样尺寸的DirectFET封装只有不到1°C/W ,   DirectFET封装的顶部金属漏极连接为芯片的结和顶部封装之间提供了一条较低的热阻抗路径使结到壳的热阻只有3°C/W 。这就使得器件的散热方法与以往有很大不同,可以用强迫风冷或导热的填充介质将热传到一个适当接地的散热器上。图4举例说明了这些概念。
    如果用散热器加冷却气流,DirectFET从封装顶部散掉的热量是SO8的两倍半,有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板,增加器件安全工作的电流值。

备注2:

    AS5048 是一款易于使用、具有 14 位高分辨率输出的 360° 绝对角位置传感器,通过外部微控制器进行线性化和平均化处理,系统最大精度可达 0.05°;